豆友棋牌ios – 华虹宏力:功率半导体拥抱电动汽车“芯”机遇的两大要诀

作者: 4000213000 分类: 豆友棋牌ios 发布时间: 2019-05-06 21:35

年度晶圆出货量初次打破200万片,销售收入和毛利率双双增长,32个季度持续盈利……这就是华虹集团旗下上海华虹宏力半导体造造有限公司(“华虹宏力”)交出的2018年亮眼成就单。受惠于全球市场对特色工艺平台及创新性造造技术的高度承认,2018年华虹宏力的产能操纵率高达99.2%,居于行业领先地位。在市场环境多变、中美贸易关系不确定性的情况下,华虹宏力为何能获得如此卓越成就?

近日,在第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019财产和技术瞻望研讨会上,华虹宏力战略、市场与开展部科长李健以《电动汽车“芯”机遇》为题,论述了汽车电动化下财产新机遇,以及华虹宏力为拥抱这波机遇所做的战略规划。从中,你我将得以管窥华虹宏力亮眼成就背后的选择与勤奋。

功率半导体:将来新技术交融的时代召唤

纵不雅全球半导体历史,整个财产连结震荡向上走势。李健介绍道,叠加美国总统在任时间线后可见,克林顿、小布什和奥巴马任期中,台式电脑、功能手机、智能手机的昌隆陆续对半导体市场起到了很好的刺激做用。随后,2016到2018年,整个半导体财产的增长率高达20%以上;时值5G、人工智能、大数据、云计算等新技术兴旺兴起之时,智能汽车成为多技术交融载体,承担起拉动半导体快速上扬的重任。

汽车虽然是传统的造造业,但却是个能让人热血沸腾的造造业,因为汽车承载了人类跑得更快、探究远处的梦想。在市场对节能减排和驾驶温馨性的更高要求下,新能源汽车逐渐走向时代舞台中央。有别于传统燃油车,新能源汽车里的电机、电池、车载充电机、电机逆变器和空调压缩机等,都需要大量的功率半导体。据Strategy Analytics测算,传统燃油车功率半导体用量仅71美圆,而新能源汽车上功率半导体用量至少翻番,纯电动车(BEV)上更是大幅增长至384美圆,增幅高达441%。汽车电动化除了车辆自己的变革之外,后拆的零部件和配套用电设备市场,如充电桩,同样带来大量的功率器件需求。随着汽车电子化的进程推进,为汽车带来更强壮“肌肉”、让汽车跑得更稳健的功率半导体获得大幅增长的同时,也带动功率半导体晶圆造造财产进入突飞猛进的高速开展期。

以时下很热的IGBT举例来说,电动汽车前后双电机各需要18颗IGBT,车载充电机需要4颗,电动空调8颗,总共一台电动车需要48颗IGBT芯片。根据国内2020年新能源汽车目的销量将到达200万台、后拆维修零配件市场按1:1配套计,粗略估算国内市场大要需要10万片/月的8英寸车规级IGBT晶圆产能(按120颗IGBT芯片/枚折算),全球汽车市场可能需要30万片/月!

核“芯”技术:用研发创新博得市场赞誉

在汽车电子化大潮涌动之时,持久持续动态逃踪市场变革的华虹宏力敏锐地洞察业界意向并及时规划:华虹宏力是全球第一家存眷功率器件的8英寸纯晶圆厂,早在2002年已开端功率半导体的自主创“芯”路,是业内首个拥有深沟槽超等结(Deep Trench Super Junction,DT-SJ)及场截止型IGBT(Field Stop,FS IGBT)工艺平台的8英寸代工厂。产物线上,华虹宏力的功率半导体产物全面涵盖从200V以下低压段、300V到800V的中高压、以及600V到3300V以至高达6500V的高压段等应用,聚焦于Trench MOS/SGT、DT-SJ和IGBT等,并亲密存眷GaN/SiC等新型宽禁带材料的开展。

图1:华虹宏力功率器件范畴核“芯”技术

据李健介绍,硅基MOSFET是华虹宏力功率器件工艺的根底。通过不竭缩小间距、提升元胞密度、降低导通电阻,华虹宏力用持续领先的优良品量,以及不变的良率博得广阔客户的赞誉。值得一提的是,在可靠性要求极为严格的汽车范畴,华虹宏力MOSFET产物已配合客户完成核心关键部件如汽车油泵、转向助力系统等的应用,为业界领先。

深沟槽超等结MOSFET(DT-SJ)是中流砥柱。超等结MOSFET适用于500V到900V电压段,其电阻更小、效率更高、散热相对低,在要求严苛的开关电源等产物中有大量应用。深沟槽型超等结MOSFET是华虹宏力自主开发、拥有完全常识产权的创“芯”技术,相关专利超越20项。其第三代深沟槽超等结工艺流程紧凑且胜利开发沟槽栅的新型构造,有效降低结电阻,进一步缩小了元胞面积,技术参数达业界一流程度,可提供导通电阻更低、芯全面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产物处理计划。为了持续为客户缔造更多价值,华虹宏力的深沟槽超等结MOSFET工艺不竭晋级,每次单元面积导通电阻的技术特性优化都在25%以上。

硅基IGBT芯片是将来。IGBT是电动汽车核“芯”中的核心,对晶圆造造的才能和经历要求十分高,其难点和性能优势次要在于后背加工工艺。目前国内能加工IGBT的产线都比力少,不论是6英寸线还是8英寸线。华虹宏力是国内为数不多可用8英寸晶圆产线为客户提供高品量代工效劳的厂商之一,拥有后背薄片、后背高能离子注入、后背激光退火以及后背金属化等一整套完好的FS IGBT的后背加工处置才能,可助力客户产物比肩业界支流的国际IDM产物,在市场合作中获得更大优势。

SiC和GaN等宽禁带材料本身优势十分明显,将来10到15年的市场空间很大。细分来看,SiC的市场应用前景明确,而GaN对准的无人驾驶LiDAR等创新型应用仍存在变数;从技术成熟度来讲,SiC二级管技术已成熟,MOS管也已小批量供货,而GaN来说,SiC基GaN相对成熟但成本高,Si基GaN则仍不敷成熟;从性价比来讲,SiC量产后有望快速拉低成本,而GaN的新型应用如不克不及如期上量,成本下降会比力迟缓;不外Si基GaN最大的优势在于能够和传统CMOS产线兼容,而SiC则做不到这点。华虹宏力将连结对宽禁带材料的亲密存眷,以期适时切入,为客户提供更高附加值的相应效劳。

“8+12”战略规划,华虹宏力创“芯”将来

做为全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,华虹宏力专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模仿及电源办理和逻辑及射频等差别化工艺平台。颠末20多年研发创新和持续积累,2018年华虹宏力特色工艺累计获得中国/美国有效受权专利超越3000件,突破了中国半导体财产过分依赖技术引进的场面,大大降低特色工艺技术成本,为国表里客户提供了愈加经济有效的造芯平台。

图2:华虹宏力特色工艺平台广泛覆盖各种应用

李健介绍称,将来华虹宏力将对峙“8+12”的战略规划。在8英寸线上,华虹宏力将“广积粮”积累底蕴,夯实特色工艺技术积淀、多年战略客户合做的友情以及靓丽的财政业绩所积累的开展本钱。基于8英寸线的底蕴,华虹宏力在12英寸线上将以“高筑墙”扩宽护城河,将8英寸特色工艺优势逐渐延伸到12英寸线上,先进技术节点进一步推进到90纳米以下,好比65/55纳米,进步技术壁垒,拉开与身后合作者的差距。通过特色工艺结合先进工艺,华虹宏力将给客户提供更充沛的产能和更具优势的先进工艺撑持,在新的国际形势和财产大势中,携手再上新台阶。

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